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Spin-polarized semiconductor surface states localized in subsurface layers

机译:自旋极化的半导体表面态位于次表面层中

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摘要

A pair of different surface-state and surface-resonance bands has been identified on Bi/Ge(111)-(√3×√3)R30° by a combined experimental and computational study. The wave functions of the states have negligible amplitude at Bi atoms and are extended over more than 20 subsurface layers. These bands exhibit characteristic spin structure, which is ascribed to the combined Rashba and atomic spin-orbit interaction (SOI). Unlike previously known surface Rashba systems, the spin polarization is induced by SOI of a light element (Ge) with negligible contribution of a heavier one (Bi).
机译:通过组合实验和计算研究,在Bi / Ge(111)-(√3×√3)R30°上确定了一对不同的表面态和表面共振带。态的波函数在Bi原子上的振幅可以忽略不计,并且扩展到20多个地下层。这些带表现出特征性的自旋结构,这归因于Rashba和原子自旋轨道相互作用(SOI)的结合。与以前已知的表面Rashba系统不同,自旋极化是由轻元素(Ge)的SOI引起的,而重元素(Bi)的贡献可忽略不计。

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