机译:在4H-SiC(1100)上生长的非极性4H多型AlN / AlGaN多量子阱结构
机译:Ⅲ/Ⅴ比对分子束外延生长在4H-SiC(1120)衬底上生长的AlN的类型和晶体质量的影响
机译:在4H-SiC(11(2)over-bar0)衬底上生长外延外延GaN(11(2)over-bar0)和表征
机译:在4H-SIC(11-20)基板上生长的低位脱位密度非极性ALN
机译:AlN,4H-SiC,3C-SiC和ZrB2衬底上磷化硼的外延。
机译:乙烯化学气相沉积法生长压力对4H-SiC衬底上生长的外延石墨烯的影响
机译:通过分子束外延在4H-SiC(11(2)over-bar20)衬底上生长的高质量非极性4H-AlN