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【2h】

Fabrication of SiC lateral super junction diodes with multiple stacking p- and n-layers

机译：具有多层p和n层堆叠的SiC横向超结二极管的制造

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作者
Miura M; Nakamura S; Suda J; Kimoto T; Matsunami H;
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作者单位

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年度 2003
总页数
原文格式 PDF
正文语种 eng
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1. Fabrication of SiC lateral super junction diodes with multiple stacking p- and n-layers [J] . Miura M., Nakamura S., Suda J., IEEE Electron Device Letters . 2003,第5期

机译：具有多层p和n层堆叠的SiC横向超结二极管的制造
2. Investigation of Stacking Faults Affecting on Reverse Leakage Current of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Diodes Using Device Simulation [J] . J. Hasegawa, K. Konishi, Y. Nakamura, Materials science forum . 2014,第pta2期

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3. Effect of Stacking Faults in Triangular Defects on 4H-SiC Junction Barrier Schottky Diodes [J] . Kazuya Konishi, Shuhei Nakata, Yoshiyuki Nakaki, Japanese journal of applied physics . 2013,第4Issue2期

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4. SiC Lateral Super-Junction Diodes Fabricated by Epitaxial Growth [C] . Mineo Miura, Shun-ichi Nakamura, Jun Suda, 4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002); Sep 2-5, 2002; Linkoeping, Sweden . 2002

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