Current state of silicon carbide and gallium nitride semiconductor power components

摘要

Kandidaatintyön tavoitteena on kartoittaa piikarbidista ja galliumnitridistä valmistettavien tehoelektroniikan puolijohdekomponenttien kehitystilannetta ja saatavuutta. Toisin sanoen työssä selvitetään kyseisistä materiaaleista valmistettavien komponenttien ominaisuuksia ja valmistajia. Kootut komponenttien arvot on esitetty taulukkomuodossa työn liitteinä.