机译:氘在SiC(0 0 0 1)-(3×3),(√3×√3)R30?,(6√3×6√3)R30?上的吸附和解吸。氢嵌入得到的准自立石墨烯
机译:SiC上氘插入的准自立石墨烯的可逆加氢(0001)
机译:氢插层在SiC上均匀覆盖无准单层石墨烯
机译:AES和RHEED研究6H-SiC(0001)(3〜(1/2)x 3〜(1/2))-R30°和3 x 3表面的初始氧化
机译:分子在石墨烯/ Ru(0001)上的嵌入,吸附和反应
机译:通过氧嵌入恢复Ru(0001)上石墨烯的近乎自立的特性
机译:SiC(0001)上氘插层的拟无固定石墨烯的可逆氢化