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【2h】

Using optimization techniques to characterize irradiated CMOS analog switches

机译:使用优化技术表征辐照的CMOS模拟开关

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摘要

The use of mathematical optimization techniques allows estimating the degradation of the internal components of irradiated CMOS analog switches from their nonlinear resistance and the value of leakage currents at different power supplies voltages.
机译:通过使用数学优化技术,可以从被照射的CMOS模拟开关的非线性电阻和不同电源电压下的泄漏电流值估算出其内部组件的退化。

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