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Desarrollo y aplicación de un microscópio óptico de barrido para la microcaracterización de materiales semiconductores en células fotoelectroquímicas

机译:用于光电化学电池中半导体材料微表征的扫描光学显微镜的开发和应用

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摘要

El proyecto de tesis que presento consiste en el desarrollo y aplicación de un sistema experimental para la obtención de imágenes digitales microscópicas de la respuesta fotoinducida en un semiconductor que actúa como fotoelectrodo de una célula fotoelectroquimica. Los contrastes de las imágenes resultantes de fotocorriente, fotovoltaje y electrorreflectancia de electrolito, se interpretan en base a las ecuaciones matemáticas básicas que describen dichos fotoefectos, y reflejan cambios en las propiedades del semiconductor y de su interfase con el electrolito. Mediante los resultados obtenidos, se pone de manifiesto la dependencia con la morfología superficial del fotoelectrodo, de la cinética de la reaccion de fotooxidacion del ioduro sobre calcogenuros laminares semiconductores (n-wse2 y n-mose2). También se muestra que la presencia de fronteras de antifases en la red cristalina del gas, crecido epitaxialmente sobre si, produce una disminución de la velocidad de fotogeneracion de portadores de carga.
机译:我要介绍的论文项目包括开发和应用实验系统,以获取半导体中作为光电化学电池光电极的光致反应的微观数字图像。基于描述这些光效应的基本数学方程式,可以解释所得的光电流,光电压和电解质电反射率图像的对比度,并反映半导体特性及其与电解质的界面的变化。通过获得的结果,表明了碘化物与半导体层状煅烧炉(n-wse2和n-mose2)的光氧化反应动力学与光电极表面形态的关系。还显示出在气体晶体网络中外延生长在其自身上的反相边界的存在导致电荷载流子的光生速率降低。

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