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3RD-ORDER DENSITY-FUNCTIONAL PERTURBATION-THEORY - A PRACTICAL IMPLEMENTATION WITH APPLICATIONS TO ANHARMONIC COUPLINGS IN SI

机译:三阶密度函数微扰理论-在SI氨纶联轴器中的实际应用

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摘要

We present a formulation of third-order density-functional perturbation theory which is manifestly invariant with respect to unitary transfomations within the occupied-states manifold and is particularly suitable for a practical implementation of the so called '2n + 1' theorem. Our implementation is demonstrated with the calculation of the third-order anharmonic coupling coefficients for some high-simmetry phonons in Silicon.
机译:我们提出了一种三阶密度泛函微扰理论,该理论对于占据态流形内的单一变换而言显然是不变的,并且特别适合于所谓的“ 2n +1”定理的实际实现。通过计算一些高模拟声子在硅中的三阶非谐耦合系数,证明了我们的实现。

著录项

  • 作者

    DEBERNARDI A; BARONI S;

  • 作者单位
  • 年度 1994
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种
  • 中图分类

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