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机译:镓铟锌氧化物薄膜晶体管:源极/漏极材料的影响
Barquinha Pedro M. C.; Vilà i Arbonès Anna Maria; Gonçalves Gonçalo; Pereira Luís M. N.; Martins Rodrigo F. P.; Morante i Lleonart Joan Ramon; Fortunato Elvira M. C.;
机译:镓-铟-氧化锌基薄膜晶体管:源极/漏极材料的影响
机译:源极/漏极材料,厚度和制造方法对并五苯薄膜晶体管电性能的影响
机译:源极和漏极材料在基于GIZO的薄膜晶体管性能中的作用
机译:栅极和漏极偏置对柔性有机薄膜晶体管偏置应力稳定性的影响
机译:带有金属置换的源极和漏极的薄膜晶体管
机译:凸源/漏极(RSD)和垂直掺杂漏极(LDD)多Si薄膜晶体管
机译:使用在源极和漏极区域中具有N和P杂质的薄膜晶体管的薄膜晶体管和半导体器件
机译:用于液晶显示器的自对准薄膜晶体管,其具有不同材料的源极和漏极
机译:非晶/多晶硅薄膜晶体管的制造例如LCD显示器涉及掺杂硅以形成一个晶体管的源极和漏极,以及沉积层在另一个晶体管的栅极上方形成绝缘
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