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The effect of the nonuniform dc field on carrier waves in negative differential mobility semiconductors

机译:负差分迁移率半导体中非均匀直流场对载波的影响

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摘要

The growth of a carrier wave propagating through a negative differential mobility semiconducting sample is discussed under nonuniform dc bias conditions. A simple analytical expression for the overall numerical gain is given in terms of current density and of the input and output carrier wave velocities only. Applications to n-type GaAs are discussed.
机译:在非均匀直流偏置条件下,讨论了通过负差分迁移率半导体样品传播的载波的增长。对于总数值增益的简单分析表达式仅在电流密度以及输入和输出载波速度方面给出。讨论了对n型GaAs的应用。

著录项

  • 作者

    Bini, M.;

  • 作者单位
  • 年度 1971
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种
  • 中图分类

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