机译:使用离子注入在蓝宝石衬底上的高迁移率SiGe / Si晶体管结构
机译:带有SiGe应力源的短通道应变Ge n型金属-绝缘体-半导体场效应晶体管在Ge衬底上产生超过1%的单轴拉伸应变
机译:高迁移率SiGe p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管外延生长在具有HfSiO_2高k介电和金属栅的Si(100)衬底上
机译:蓝宝石衬底上的高迁移率SiGe / Si n型结构和场效应晶体管
机译:硅衬底上III族氮化物功率异质结场效应晶体管的工程模型。
机译:高迁移率低电压基于C60的n型有机场效应晶体管
机译:蓝宝石衬底上采用离子注入的高迁移率SiGe / Si晶体管结构
机译:蓝宝石衬底上的高迁移率siGe / si n型结构和场效应晶体管