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Double-gate single electron transistor : modeling, design evaluation of logic architectures

机译:双栅极单电子晶体管:逻辑架构的建模,设计和评估

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摘要

Dans les années à venir, l'industrie de la microélectronique doit développer de nouvelles filières technologiques qui pourront devenir des successeurs ou des compléments de la technologie CMOS ultime. Parmi ces technologies émergentes relevant du domaine « Beyond CMOS », ce travail de recherche porte sur les transistors mono-électroniques (SET) dont le fonctionnement est basé sur la quantification de la charge électrique, le transport quantique et la répulsion Coulombienne. Les SETs doivent être étudiés à trois niveaux : composants, circuits et système. Ces nouveaux composants, utilisent à leur profit le phénomène dit de blocage de Coulomb permettant le transit des électrons de manière séquentielle, afin de contrôler très précisément le courant véhiculé. En effet, l'émergence du caractère granulaire de la charge électrique dans le transport des électrons par effet tunnel, permet d'envisager la réalisation de remplaçants potentiels des transistors ou de cellules mémoire à haute densité d'intégration, basse consommation. L'objectif principal de ce travail de thèse est d'explorer et d'évaluer le potentiel des transistors mono-électroniques double-grille métalliques (DG-SETs) pour les circuits logiques numériques. De ce fait, les travaux de recherches proposés sont divisés en trois parties : i) le développement des outils de simulation et tout particulièrement un modèle analytique de DG-SET ; ii) la conception de circuits numériques à base de DG-SETs dans une approche « cellules standards » ; et iii) l'exploration d'architectures logiques versatiles à base de DG-SETs en exploitant la double-grille du dispositif. Un modèle analytique pour les DG-SETs métalliques fonctionnant à température ambiante et au-delà est présenté. Ce modèle est basé sur des paramètres physiques et géométriques et implémenté en langage Verilog-A. Il est utilisable pour la conception de circuits analogiques ou numériques hybrides SET-CMOS. A l'aide de cet outil, nous avons conçu, simulé et évalué les performances de circuits logiques à base de DG-SETs afin de mettre en avant leur utilisation dans les futurs circuits ULSI. Une bibliothèque de cellules logiques, à base de DG-SETs, fonctionnant à haute température est présentée. Des résultats remarquables ont été atteints notamment en termes de consommation d'énergie. De plus, des architectures logiques telles que les blocs élémentaires pour le calcul (ALU, SRAM, etc.) ont été conçues entièrement à base de DG-SETs. La flexibilité offerte par la seconde grille du DG-SET a permis de concevoir une nouvelle famille de circuits logiques flexibles à base de portes de transmission. Une réduction du nombre de transistors par fonction et de consommation a été atteinte. Enfin, des analyses Monte-Carlo sont abordées afin de déterminer la robustesse des circuits logiques conçus à l'égard des dispersions technologiques.
机译:在未来的几年中,微电子行业必须开发新的技术领域,这些领域可能成为最终CMOS技术的继任者或补充。在“超越CMOS”领域的这些新兴技术中,这项研究工作涉及单电子晶体管(SET),其操作基于电荷,量子传输和库仑斥力的量化。必须从三个层次研究SET:组件,电路和系统。这些新的组件利用了它们的优势,即所谓的库仑阻塞现象,允许电子顺序传输,以便非常精确地控制所载电流。实际上,通过隧道效应在电子传输中电荷的颗粒性质的出现,使得可以设想以高集成度,低消耗来生产晶体管或存储单元的潜在替代品。本文工作的主要目的是探索和评估用于数字逻辑电路的金属双栅极单电子晶体管(DG-SET)的潜力。因此,拟议的研究工作分为三个部分:i)仿真工具的开发,尤其是DG-SET的分析模型; ii)以“标准单元”方式设计基于DG-SET的数字电路; iii)通过利用设备的双重网格,探索基于DG-SET的通用逻辑架构。提出了在室温及更高温度下工作的金属DG-SET的分析模型。该模型基于物理和几何参数,并以Verilog-A语言实现。它可用于设计模拟或数字混合SET-CMOS电路。使用该工具,我们已经设计,模拟和评估了基于DG-SET的逻辑电路的性能,以突出其在未来ULSI电路中的用途。提出了基于DG-SET的高温逻辑单元库。已经取得了显著成果,特别是在能耗方面。另外,完全基于DG-SET设计了逻辑体系结构,例如用于计算的基本块(ALU,SRAM等)。 DG-SET的第二个网格提供的灵活性使基于传输门设计新系列的灵活逻辑电路成为可能。通过功能和消耗减少了晶体管的数量。最后,对蒙特卡洛分析进行处理,以确定针对技术扩散而设计的逻辑电路的鲁棒性。

著录项

  • 作者

    Bounouar Mohamed Amine;

  • 作者单位
  • 年度 2013
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 fr
  • 中图分类

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