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【2h】

Vacancy-engineering implants for high boron activation in silicon on insulator

机译：用于绝缘体上硅中高硼活化的空缺工程植入物

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作者
Smith, AJ; Cowern, NEB; Gwilliam, R; Sealy, BJ; Colombeau, B; Collart, EJH; Gennaro, S; Giubertoni, D; Bersani, M; Barozzi, M;
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作者单位

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年度 2006
总页数
原文格式 PDF
正文语种 {"code":"en","name":"English","id":9}
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1. Vacancy-engineering implants for high boron activation in silicon on insulator [J] . A. J. Smith, N. E. B. Cowern, R. Gwilliam, Applied Physics Letters . 2006,第8期

机译：用于绝缘体上硅中高硼活化的空缺工程植入物
2. Electrical activation in silicon-on-insulator after low energy boron implantation [J] . Saavedra AF, Jones KS, Law ME, Journal of Applied Physics . 2004,第4期

机译：低能硼注入后绝缘体上硅的电激活
3. Uphill diffusion of ultralow-energy boron implants in preamorphized silicon and silicon-on-insulator [J] . M. Ferri, S. Solmi, D. Giubertoni, Journal of Applied Physics . 2007,第10期

机译：超低能硼注入物在预非晶硅和绝缘体上硅中的向上扩散
4. Effect of Elevated Implant Temperature on Amorphization and Activation in As-implanted Silicon-on-insulator Layers [C] . Katherine L. Saenger, Stephen W. Bedell, Matthew Copel, MRS spring meeting symposium . 2008

机译：植入温度升高对注入的绝缘体上硅层非晶化和活化的影响
5. Separation by plasma implantation of oxygen with plasma immersion ion implantation to form silicon-on-insulator. [D] . Iyer, S. Sundar Kumar. 1998

机译：通过等离子体注入氧气和等离子体浸没离子注入进行分离，以形成绝缘体上硅。
6. Boron-Implanted Silicon Substrates for Physical Adsorption of DNA Origami [O] . Sadao Takabayashi, Shohei Kotani, Juan Flores-Estrada, 2018

机译：硼植入的硅基质可物理吸附DNA折纸
7. Uphill diffusion of ultralow-energy boron implants in preamorphized silicon and silicon-on-insulator [O] . Ferri M, Solmi S, Giubertoni D, 2007

机译：超低能硼注入物在预非晶硅和绝缘体上硅中的向上扩散
8. Role of implantation damage in the production of silicon-on- insulator films by co-Implantation of He(sup +) and H(sup +) [R] . Venezia, V. C., Agarwal, A., Haynes, T. E., 1998

机译：植入损伤在He（sup +）和H（sup +）共同注入生产绝缘体上硅薄膜中的作用

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