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Physical Unbiased Generation of Random Numbers With Coupled Resistive Switching Devices

机译：耦合电阻切换装置在物理上无偏的随机数生成

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Balatti S.; Ambrogio S.; Carboni R.; Milo V.; Wang Z.; Calderoni A.; Ramaswamy N.; Ielmini D.;
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年度 2016
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原文格式 PDF
正文语种 eng
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1. Physical Unbiased Generation of Random Numbers With Coupled Resistive Switching Devices [J] . Simone Balatti, Stefano Ambrogio, Roberto Carboni, IEEE Transactions on Electron Devices . 2016,第5期

机译：耦合电阻切换装置在物理上无偏的随机数生成
2. True Random Number Generation by Variability of Resistive Switching in Oxide-Based Devices [J] . Balatti Simone, Ambrogio Stefano, Wang Zhongqiang, Emerging and Selected Topics in Circuits and Systems, IEEE Journal on . 2015,第2期

机译：通过基于氧化物的器件中的电阻开关的可变性生成真正的随机数
3. Impact of AIO_X layer on resistive switching characteristics and device-to-device uniformity of bilayered HfO_x-based resistive random access memory devices [J] . Chuang Kai-Chi, Chung Hao-Tung, Chu Chi-Yan, Japanese journal of applied physics . 2018,第6S3期

机译：AIO_X层对双层基于HfO_x的电阻式随机存取存储设备的电阻切换特性和设备间一致性的影响
4. Resistive Switching of Al/Sol-Gel ZnO/Al Devices for Resistive Random Access Memory Applications [C] . Deshpande Saniya, Nair Vineet Vijayakrishnan Advances in Computing, Control, amp; Telecommunication Technologies, 2009. ACT '09 . 2009

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5. Resistive Switching Memory and Reconfigurable Devices. [D] . Zhou, Jiantao. 2016

机译：电阻式切换存储器和可重配置设备。
6. Remote control of resistive switching in TiO2 based resistive random access memory device [O] . Dwipak Prasad Sahu, S. Narayana Jammalamadaka -1

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7. Resistive Switching: Forming‐Free Grain Boundary Engineered Hafnium Oxide Resistive Random Access Memory Devices (Adv. Electron. Mater. 10/2019) [O] . Stefan Petzold, Alexander Zintler, Robert Eilhardt, 2019

机译：电阻切换：无成型晶界工程化铪氧化物电阻随机存取存储器装置（ADV。电子。Matter。10/2019）

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