机译:降低肖特基势垒高度的两种不同方案在NiSi / Si和PtSi / Si界面处的杂质偏析的比较研究
机译:具有外延NiSi2接触和掺杂剂偏析的肖特基势垒金属氧化物半导体场效应晶体管的实验I-V和C-V分析
机译:一种通过掺杂剂偏析技术调整NiSi肖特基势垒高度的改进方案
机译:高性能肖特基源极/漏极MOSFET的解决方案:采用掺杂剂隔离技术的肖特基势垒高度工程
机译:掩埋沟道III-V MOSFET和势垒层/高k介面的制造和表征
机译:通过低温微波退火通过掺杂剂隔离技术调整肖特基势垒高度
机译:具有掺杂剂隔离的NiSi肖特基势垒MOSFET的DC和RF表征