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【2h】

Schottky barrier formation at amorphous-crystalline interfaces of GeSb phase change materials

机译：GeSb相变材料非晶-晶体界面处的肖特基势垒形成

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Kroezen H. J.; Eising G.; ten Brink Gert; Palasantzas G.; Kooi B. J.; Pauza A.;
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年度 2012
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原文格式 PDF
正文语种 eng
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1. Schottky barrier formation at amorphous-crystalline interfaces of GeSb phase change materials [J] . H. J. Kroezen, G. Eising, G. ten Brink, Applied Physics Letters . 2012,第9期

机译：GeSb相变材料非晶-晶体界面处的肖特基势垒形成
2. DC conductivity in GeSb2Te4 and (GeSb2Te4)(90)(SnSe2)(10) phase change materials [J] . Popescu M, Kubliha M, Kaluzny J, Journal of optoelectronics and advanced materials . 2007,第12期

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3. Phase dependence of Schottky barrier heights for Ge-Sb-Te and related phase-change materials [J] . Zhaofu Zhang, Yuzheng Guo, John Robertson Journal of Applied Physics . 2020,第15期

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