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机译:Ge-Sb-Te相变薄膜中与极性有关的可逆电阻转换
Pandian Ramanathaswamy; Kooi Bart J.; Palasantzas George; De Hosson Jeff T. M.; Pauza Andrew;
机译:GeSbTe相变薄膜中与极性有关的电阻转换:过量的Sb在灯丝形成中的重要性
机译:沉积的AgInSbTe相变膜中与极性有关的可逆电阻转换
机译:GeSbTe薄膜中的可逆电阻转换:一种无定形晶体相变的电解方法
机译:基于脉冲激光沉积合成的二氧化钒薄膜的可逆绝缘体-金属跃迁的开关应用。
机译:电沉积Ge-Sb-Te薄膜的相变记忆特性
机译:当这种PCMO薄膜与高纯度的结晶种子层耦合以增加PCMO层和重置的PCMO层的电阻时,在PCMO薄膜上形成可逆电阻开关的方法
机译:开关连接膜,使用开关连接膜的磁阻效应元件,以及使用磁阻效应元件的薄膜磁头
机译:在高度结晶的籽晶层上沉积的PCMO薄膜中获得可逆电阻开关的方法
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