机译:使用聚酰亚胺和Ba_ <0.4> Sr_ <0.6> Ti _,<0.96> O_3栅绝缘体制造C_ <60>场效应晶体管
机译:用聚酰亚胺和Ba_(0.4)Sr_(0.6)Ti_(0.96)O_3栅绝缘体制作C_(60)场效应晶体管
机译:基于聚酰亚胺和核壳结构的Al_2O_3@0.4mol%Nb-(Ba_(0.87)Sr_(0.04)Ca_(0.09))(Ti_(0.86)Zr_(0.08)Sn_(0.06)的纳米复合薄膜的制备和增强的介电常数O_3纳米粒子
机译:具有低漏电流的Ni掺杂Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3栅绝缘体的电稳定低压操作ZnO薄膜晶体管
机译:(BA_(0.6)SR_(0.4))的温度依赖性阻抗行为(ZR_(0.65)TI_(0.35))O_3
机译:绝缘体上硅基场效应晶体管纳米带传感器的制造和表征。
机译:聚合物电解质门控聚合物场效应晶体管中的金属-绝缘体转变之外
机译:用聚酰亚胺和Ba 0.4 sub> Sr 0.6 sub> Ti 0.96 sub> O 3制备C 60 sub>场效应晶体管 sub>栅极绝缘体
机译:In(0.6)Ga(0.4)as / In(0.52)al(0.48)作为调制掺杂场效应晶体管与In(0.53)Ga(0.47)as p-i-n光电二极管单片集成的性能特征