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【2h】

Creating Electrical Bistability Using Nano-bits – Application in 2-Terminal Memory Devices

机译：使用纳米位创建电双稳态–在2端子存储设备中的应用

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机译：这是一个开放获取文章。

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作者
Salaoru Iulia; Alotaibi Sattam; Al Halafi Zahara; Paul Shashi;
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作者单位

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年度 2016
总页数
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