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【2h】

Evaluation of an InAlN/AlN/GaN HEMT with Ta-based ohmic contacts and PECVD SiN passivation

机译：基于Ta基欧姆接触和PECVD SiN钝化的InAlN / AlN / GaN HEMT的评估

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Malmros, Anna; Gamarra, P.; Thorsell, Mattias; di Forte-Poisson, M. A.; Lacam, C.; Tordjman, M.; Aubry, R.; Zirath, Herbert; Rorsman, Niklas;
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年度 2014
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