机译:制备工艺对镁基化合物热电性能的影响-以n型Mg 2 sub> Ge为例
机译:通过火花等离子体烧结轻松制造具有增强的热电性能和低比接触电阻的p型和n型半霍斯勒合金
机译:包封1,1-双(二苯基膦基)二茂铁的n型单壁碳纳米管的耐气制备和增强的热电性能
机译:N型Bi_2Te_3基化合物的放电等离子体烧结及其热电性能
机译:实习三(2000年6月)。基于聚(3-苯基噻吩)衍生物的电化学电容器的性能研究。实习二(1998年9月)。光催化破坏挥发性有机化合物(VOC)以净化空气。实习一(1997年8月)。用于气体分离的聚(3-烷基噻吩)膜:制备,气体传输研究和表征
机译:制造工艺对热电的影响镁基化合物的性能—以n型为例镁2锗
机译:制备工艺对镁基化合物热电性能的影响 - 以n型mg2Ge为例
机译:用体相合金化掺杂改善mg基四元化合物的热电性能