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【2h】

High-Sensitive Ultraviolet Photodetectors Based on ZnO Nanorods/CdS Heterostructures

机译：基于ZnO纳米棒/ CdS异质结构的高灵敏度紫外光电探测器

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Kin-Tak Lam; Yu-Jen Hsiao; Liang-Wen Ji; Te-Hua Fang; Kai-Hua Hsiao; Tung-Te Chu;
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年度 2017
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1. High-Sensitive Ultraviolet Photodetectors Based on ZnO Nanorods/CdS Heterostructures [J] . Kin-Tak Lam, Yu-Jen Hsiao, Liang-Wen Ji, Nanoscale Research Letters . 2017,第1期

机译：基于ZnO纳米棒/ CdS异质结构的高灵敏度紫外光电探测器
2. UV-photodetector based on heterostructured ZnO/(Ga,Ag)-co-doped ZnO nanorods by cost-effective two-step process [J] . Kumar A. GuruSampath, Li Xuejin, Du Yu, Applied Surface Science . 2020,第Apra15期

机译：通过成本效益的两步工艺基于异质结构ZnO /（Ga，Ag）-Co掺杂的ZnO纳米杆的UV光电探测器
3. Enhancing photoresponsivity of ultraviolet photodetectors based on ZnO/ZnO:Eu (x=0, 0.2, 1, 5 and 20 at.%) core/shell nanorods [J] . Babamoradi Mohsen, Sadeghi Hadi, Azimirad Rouhollah, Optik: Zeitschrift fur Licht- und Elektronenoptik: = Journal for Light-and Electronoptic . 2018,第期

机译：基于ZnO / ZnO：Eu（x = 0,0.2,1,5和20.％）芯/壳纳米棒的增强紫外光探测器的光响应性
4. High responsivity ultraviolet photodetector based onp-GaN/i-ZnO nanorod - ZnO: In nanorod [C] . Chia-Hsun Chen, Jheng-Tai Yan, Ching-Ting Lee Wide-bandgap semiconductor materials and devices 11 -and-state-of-the-art program on compound semiconductors 52 (SOTAPOCS 52) . 2010

机译：基于p-GaN / i-ZnO纳米棒/ n- ZnO的高响应紫外光电探测器：纳米棒
5. Characterization of CdTe Based Photodetectors, ZnO Nanowires and Nanostructures for Photonic Applications. [D] . Farid, Sidra. 2016

机译：基于CdTe的光电探测器，ZnO纳米线和用于光子应用的纳米结构的表征。
6. High-Sensitive Ultraviolet Photodetectors Based on ZnO Nanorods/CdS Heterostructures [O] . Kin-Tak Lam, Yu-Jen Hsiao, Liang-Wen Ji, 2017

机译：基于ZnO纳米棒/ CdS异质结构的高灵敏度紫外光电探测器
7. Photodetectors: Enhanced Performances of PVK/ZnO Nanorods/Graphene Heterostructure UV Photodetector via Piezo‐Phototronic Interface Engineering (Adv. Mater. Interfaces 23/2019) [O] . Xinglai Zhang, Jian Zhang, Bing Leng, 2019

机译：光电探测器：通过压电界面工程（ADV。MARTION 23/2019）增强PVK / ZnO纳米棒/石墨烯异质结构UV光电探测器的性能。

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