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【2h】

A convenient band-gap interpolation technique and an improved band line-up model for InGaAlAs on InP

机译：InP上InGaAlAs的便捷带隙内插技术和改进的带阵列模型

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Y. S. Yong; H. Y. Wong; H. K. Yow; M. Sorel;
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年度 2010
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1. A convenient band-gap interpolation technique and an improved band line-up model for InGaAlAs on InP [J] . Y.S. Yong, H.Y. Wong, H.K. Yow, Applied physics . 2010,第3期

机译：InP上InGaAlAs的便捷带隙内插技术和改进的带阵列模型
2. A convenient band-gap interpolation technique and an improved band line-up model for InGaAlAs on InP [J] . Y. S. Yong, H. Y. Wong, H. K. Yow, Applied Physics B: Lasers and Optics . 2010,第3期

机译：InP上InGaAlAs的便捷带隙内插技术和改进的带阵列模型
3. Empirical model including band-to-band Coulomb interaction for refractive indices of GaAs and InP-based materials at photon energies near and above the band-gap [J] . E. Y. Lin, T. S. Lay, T. Y. Chang Physica Status Solidi. C, Conferences and critical reviews . 2006,第3期

机译：GaAs和InP基材料在带隙附近和上方的光子能量下的折射率的带间库仑相互作用的经验模型
4. Empirical model including band-to-band Coulomb interaction for refractive indices of GaAs and InP-based materials at photon energies near and above the band-gap [C] . E. Y. Lin, T. S. Lay, T. Y. Chang International Symposium on Compound Semiconductors . 2006

机译：实证模型，包括用于在带间隙附近和高于和高于带间隙的光子能量的GaAs和基于INP基材料的带对带库相互作用
5. Improved confinement structure and quantum-well designs for long wavelength InGaAlAs/InP lasers. [D] . Yean Sheng, Yong. 2010

机译：改进了用于长波长InGaAlAs / InP激光器的限制结构和量子阱设计。
6. First evidence of non-locality in real band-gap metamaterials: determining parameters in the relaxed micromorphic model [O] . Angela Madeo, Gabriele Barbagallo, Marco Valerio d’Agostino, -1

机译：真实带隙超材料中非局部性的第一个证据：在松弛微晶模型中确定参数
7. A convenient band-gap interpolation technique and an improved band line-up model for InGaAlAs on InP [O] . Yong, Y.S., Wong, H.Y., Yow, H.K., 2010

机译：一种方便的带隙插值技术和Inp中InGaalas的改进的带状线阵列模型
8. Identifying the Electronic Properties Relevant to Improving the Performance of High Band-Gap Copper Based I-III-VI(sub 2) Chalcopyrite Thin Film Photovoltaic Devices. Final Subcontract Report 27 April 2004 - 15 September 2007 [R] . 2008

机译：确定与提高高带隙铜基I-III-VI（sub 2）黄铜矿薄膜光伏器件性能有关的电子特性。最终分包合同报告2004年4月27日至2007年9月15日

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