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机译:氧空位迁移引起的六方WO3纳米线的忆阻特性
Xiongwu He; Yanling Yin; Jie Guo; Huajun Yuan; Yuehua Peng; Yong Zhou; Ding Zhao; Kuo Hai; Weichang Zhou; Dongsheng Tang;
机译:水氧化氢离子注入调节六方WO3纳米线的忆阻性能
机译:具有“纳米线阵列上纳米片阵列”结构的分层氧空位的WO3,用于高效氧气进化反应
机译:氧空位O端表面:六方WO3(001)表面最暴露的表面
机译:氧空位在未掺杂和Cr掺杂的SnO_2纳米线中引起铁磁性。
机译:忆阻性钛酸锶中氧空位的低温行为。
机译:氧气空位电迁移在铁电器件忆阻响应中的关键作用
机译:基于一个或多个纳米线的离子迁移的膜质装置和方法
机译:基于一个或多个纳米线的离子迁移的椎体装置和方法
机译:基于一个或多个纳米线上离子迁移的存储设备和方法
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