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【2h】

Micro-accelerometer Based on Vertically Movable Gate Field Effect Transistor

机译：基于垂直可移动栅场效应晶体管的微加速度计

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Heung Seok Kang; Kang-Hee Lee; Dong-Youk Yang; Byoung Hee You; In-Hyouk Song;
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年度 2015
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1. Micro-accelerometer Based on Vertically Movable Gate Field Effect Transistor [J] . Heung Seok Kang, Kang-Hee Lee, Dong-Youk Yang, Nano-Micro Letters . 2015,第3期

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2. Micro-accelerometer Based on Vertically Movable Gate Field Effect Transistor [J] . Heung Seok Kang, Kang-Hee Lee, Dong-Youk Yang, 纳微快报：英文版 . 2015,第003期

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3. A new pressure microsensor based on dual-gate graphene field-effect transistor with a vertically movable top-gate: Proposal, analysis, and optimization [J] . Tamersit Khalil, Kotti Mouna, Fakhfakh Mourad AEU: Archiv fur Elektronik und Ubertragungstechnik: Electronic and Communication . 2020,第1期

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