机译:通过优化MgO层间厚度从ZnO量子点基/ GaN异质结二极管中装饰银的局部表面等离子体增强紫外电致发光
机译:通过优化MgO层间厚度从ZnO量子点基/ GaN异质结二极管中装饰银的局部表面等离子体增强紫外电致发光
机译:通过优化MgO隔离层的厚度使n-ZnO / i-ZnO / p-GaN异质结发光二极管的局部表面等离子体增强紫外电致发光
机译:通过优化MgO隔离层的厚度使n-ZnO / i-ZnO / p-GaN异质结发光二极管的局部表面等离子体增强紫外电致发光
机译:p-GaN / MgO / n-ZnO异质结发光二极管的电致发光
机译:GaN基发光二极管和垂直腔表面发射激光器的量子效率增强。
机译:通过优化MgO层间厚度从ZnO量子点基/ GaN异质结二极管中装饰银的局部表面等离子体增强紫外电致发光
机译:二维ZnO纳米网/ GaN异质结发光二极管的紫外电致发光