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机译:p型GaAs电化学刻蚀形成的纳米多孔层的化学组成
Youcef A. Bioud; Abderraouf Boucherif; Ali Belarouci; Etienne Paradis; Dominique Drouin; Richard Arès;
机译:p型硅线形成的电化学蚀刻与金属辅助化学蚀刻的组合方法
机译:通过KOH电化学刻蚀制备的高成分纳米多孔InGaN
机译:双罐电化学蚀刻电池阳极氧化电流密度形成纳米多孔硅层孔隙率和光致发光性能研究
机译:电化学蚀刻锗和砷化镓形成的多孔层,用于高能效多结太阳能电池的分裂工程层转移(CELT)应用。
机译:通过p型GaAs的电化学刻蚀形成的纳米多孔层的化学成分
机译:通过电化学沉积制备小尺寸的扁平纳米多孔Pt层和小尺寸的扁平的纳米多孔Pt层
机译:电化学蚀刻p型半导体层
机译:电化学刻蚀生产n-GaAs多孔层的方法
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