Tunneling in Systems of Coupled Dopant-Atoms in Silicon Nano-devices

机译：硅纳米器件中耦合掺杂剂原子系统中的隧穿

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1. Tunneling in Systems of Coupled Dopant-Atoms in Silicon Nano-devices [J] . Daniel Moraru, Arup Samanta, Krzysztof Tyszka, Nanoscale Research Letters . 2015,第1期

机译：硅纳米器件中耦合掺杂剂原子系统中的隧穿
2. Determination of aluminum‐silicon dioxide and silicon‐silicon dioxide barrier heights in a metal‐tunnel insulator‐silicon system [J] . Journal of Applied Physics . 1985,第4期

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3. Tunnel coupled dangling bond structures on hydrogen terminated silicon surfaces [J] . Pitters J.L., Livadaru L., Haider M.B., The Journal of Chemical Physics . 2011,第6期

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7. Integration of Tunnel-Coupled Double Nanocrystalline Silicon Quantum Dots with a Multiple-Gate Single-Electron Transistor [O] . Kawata Y., Khalafalla M., Usami K., 2007

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