机译:P - GaN的电子表面,光学和电性能通过原位MOCVD激活和Ingan / GaN LED中的原位热退火
机译:原位监测和控制蚀刻工艺可抑制Si衬底上MOCVD GaN生长中的Mg记忆效应
机译:水平生长MOCVD中不同生长条件的InGaN / GaN自组装量子点的生长行为
机译:通过MOCVD生长InGaN量子阱和InGaN / GaN量子阱LED
机译:利用纳米技术在Si上生长,制造和表征基于InGaN / GaN的蓝色,绿色和黄色LED。
机译:短波长光束通过MOCVD原位监测InGaN / GaN绿色LED的生长
机译:通过外延生长温度调节紫,蓝和绿电致发光的InGaN / GaN基LED
机译:用于激光二极管应用的GaN,InGaN和GaN / InGaN量子阱结构的mBE生长和性质