机译:基于40nm标准CMOS技术的基于TiSbTe合金的相变存储芯片
机译:40 nm标准CMOS技术中基于Ti Sb Te合金的相变存储芯片
机译:采用90 nm标准CMOS技术的4 Mb LV MOS选择的嵌入式相变存储器
机译:基于标准的0.13-μmCMOS技术复位相变存储器的电流降低
机译:在65nm标准CMOS技术中使用多级突触的多核神经形态芯片设计
机译:采用片上印刷技术的低功耗集成湿度CMOS传感器
机译:基于标准0.13-μmCMOS技术的相变存储器的RESET电流降低