机译:低温缓冲,射频功率和退火对射频磁控溅射生长的ZnO / Al_2O_3(0001)薄膜的结构和光学性能的影响
机译:退火对射频磁控溅射生长的外延YIG薄膜结构和FMR性能的影响
机译:退火对射频磁控溅射ZnMgO薄膜结构和光学性能的影响
机译:通过快速热退火通过RF磁控溅射在(0001)蓝宝石衬底上生长的Ga掺杂ZnO薄膜的光致发光和光学性质
机译:射频磁控溅射未掺杂镧锰矿薄膜的结构,磁性和表面特性。
机译:通过射频磁控溅射生长的富硅Al2O3膜:结构和光致发光特性与退火处理的关系
机译:错误:“低温缓冲液,RF功率和退火对由RF-磁控溅射生长的ZnO / Al2O3(0001)薄膜结构和光学性质的影响”J。苹果。物理。 106,023511(2009)