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机译:结合隔离技术和深反应离子刻蚀形成硅纳米结构
Daniel CS Bien; Hing Lee; Siti Aishah Badaruddin;
机译:基于深反应离子刻蚀的硅高级刻蚀,用于硅高纵横比微结构和三维微纳结构
机译:使用改进的深反应离子刻蚀在硅上形成纳米草和纳米结构
机译:基于硅基光学纳米结构的设计与实现,用于使用深反应离子蚀刻(DRIE)技术的集成光子电路应用
机译:使用灰度光刻和深反应离子刻蚀开发深硅相菲涅耳透镜
机译:自掩膜硅纳米结构在深反应离子刻蚀工艺中的制备与应用
机译:减少深沟槽硅刻蚀中反应离子刻蚀的方法
机译:MOS技术中的自调整接触窗-Obdd。通过使用纯三氟甲烷的反应性离子束选择性地将二氧化硅层蚀刻至氮化硅停止层
机译:深沟槽动态随机存取存储单元的形成包括使用绝缘体上硅技术在深沟槽电容器上形成硅层
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