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【2h】

Excellent resistive memory characteristics and switching mechanism using a Ti nanolayer at the Cu/TaOx interface

机译：在Cu / TaOx界面使用Ti纳米层具有出色的电阻记忆特性和开关机制

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Sheikh Rahaman; Siddheswar Maikap; Ta-Chang Tien; Heng-Yuan Lee; Wei-Su Chen; Frederick T Chen; Ming-Jer Kao; Ming-Jinn Tsai;
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年度 2012
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Excellent resistive memory characteristics and switching mechanism using a Ti nanolayer at the Cu/TaOx interface

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