机译:GaN-Ingan-GaN屏障的起源在增强InGaN / GaN绿色发光二极管的空穴注射中
机译:掺入InGaN / GaN发光二极管的琥珀色发光量子点的光学性能增强,并且在紫外增强的电化学刻蚀纳米多孔GaN上具有生长
机译:用针掺杂GaN量子屏障的InGaN / GaN发光二极管效率提高
机译:IngaN / GaN多量子阱用硅三角形掺杂在GaN屏障中发光二极管
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:具有优化的GaN势垒的InGaN / GaN多层量子点黄绿色发光二极管
机译:关于InGaN / GaN发光二极管的n-GaN层中N-GaN / P-GaN / N-GaN / P-GaN / N-GaN内置结的影响
机译:用于激光二极管应用的GaN,InGaN和GaN / InGaN量子阱结构的mBE生长和性质