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【2h】

Approaches for improving the performance of filament-type resistive switching memory

机译：改善灯丝型电阻开关存储器性能的方法

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WenTai Lian; ShiBing Long; HangBing Lü; Qi Liu; YingTao Li; Sen Zhang; Yan Wang; ZongLiang Huo; YueHua Dai; JunNing Chen; Ming Liu;
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年度 2011
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1. Approaches for improving the performance of filament-type resistive switching memory [J] . LIAN WenTai, LONG ShiBing, LU HangBing, 中国科学通报：英文版 . 2011,第004期

机译：改善灯丝型电阻开关存储器性能的方法
2. Highly Improved Performance in Ag-Doped BSA Films by Inserting the ZrO₂ Layer for Nonvolatile Resistive Switching Memory [J] . Hongwei Wang, Chao Gao, Kaixuan Sun, Electron Devices, IEEE Transactions on . 2021,第2期

机译：通过将ZrO 2层插入非易失性电阻开关存储器，通过插入ZrO 2层来高度提高的性能
3. Improved Performance of CH3NH3PbI3-xClx Resistive Switching Memory by Assembling 2D/3D Perovskite Heterostructures [J] . Xia Fei, Xu Ying, Li Bixin, ACS applied materials & interfaces . 2020,第13期

机译：通过组装2D / 3D Perovskite异质结构来提高CH3NH3PBI3-XCLX电阻开关存储器的性能
4. Doping technology: An effective way to improve the performances of resistive switching memory [C] . Liu Qi, Liu Ming, Wang Yan, The Eleventh International Workshop on Junction Technology . 2011

机译：掺杂技术：一种改善电阻式开关存储器性能的有效方法
5. Control over variability in nonvolatile hafnium-oxide resistive-switching memory based on modeling of the switching processes [D] . Butcher, Brian Jerad. 2013

机译：基于开关过程的建模控制非易失性铪 - 氧化物电阻开关存储器的变异性
6. Enhanced stability of filament-type resistive switching by interface engineering [O] . Y. B. Zhu, K. Zheng, X. Wu, -1

机译：通过接口工程增强灯丝型电阻开关的稳定性
7. Improving the electrical performance of resistive switching memory using doping technology [O] . Yan Wang, Qi Liu, HangBing Lü, 2012

机译：使用掺杂技术改善电阻式开关存储器的电性能

Approaches for improving the performance of filament-type resistive switching memory

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