机译:PVD工艺参数对薄(10–30?nm)Al2O3电介质的质量和可靠性的影响
机译:具有小于10 nm薄Ba_(o.5)Sr_(o.5)Ti0_3介电层的场效应晶体管组件中经过固溶处理的Ni掺杂TiO_2 p型沟道
机译:使用超快测量脉冲的精确阈值电压可靠性评估薄Al2O3顶门介电黑色磷FET
机译:10NM过程中具有CO Metallurgy的低k电介质的内在可靠性研究
机译:不同加工参数对选择性激光熔化金属热理性质的影响:316L不锈钢,Ti6Al4V和Alsimg10
机译:栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
机译:优质La2O3和Al2O3栅极电介质,等效氧化层厚度为5-10Å
机译:2008年1月1日至2009年6月30日期间,Cahaba政府福利管理人员有限责任公司管辖的医疗保险支付费用超过医疗保险支付费用的审查