机译:具有二元AlN和GaN子层的三元AlGaN的数字合金调制前驱流外延生长以及组成不均匀性的观察
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机译:金属有机化学气相沉积调制三元铝前驱体外延生长
机译:直径为100 mm的外延AlN /蓝宝石模板上AlGaN / AlN / GaN HEMT的生长和表征
机译:单源前体的合成,表征和热分解为纳米晶二元和三元13-15材料。
机译:(AlN)m /(GaN)n超晶格中MgGaδ掺杂降低高Al含量AlGaN合金中Mg活化能的实验证据
机译:具有240-350 nm发射的纳米线中的AlGaN截面和AlGaN / AlN纳米盘中的合金不均匀性和载流子定位