首页> 外文OA文献 >Sidewall lithography of micron-sized features in high-aspect-ratio meso-scale channels using a three-dimensional assembled mask

【2h】

Sidewall lithography of micron-sized features in high-aspect-ratio meso-scale channels using a three-dimensional assembled mask

机译：使用三维组装掩模在高纵横比中尺度通道中进行微米级特征的侧壁光刻

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Chang-Hyeon Ji; Florian Herrault; Mark G Allen;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2014
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Sidewall lithography of micron-sized features in high-aspect-ratio meso-scale channels using a three-dimensional assembled mask [J] . Chang-Hyeon Ji, Florian Herrault, Mark G Allen Micro and Nano Systems Letters . 2014,第1期

机译：使用三维组装掩模的高纵横比Meso-Scale通道中微壁光刻的微壁光刻
2. Influence of a non-ideal sidewall angle of extreme ultra-violet mask absorber for 1 x-nm patterning in isomorphic and anamorphic lithography [J] . Ko Ki-Ho, Moon Yongseung, Jeong Changyeong, Microelectronic Engineering . 2017,第sepa期

机译：极紫外掩模吸收剂的非理想侧壁角对同构和变形光刻中1 x nm图案的影响
3. Influence of mask substrate materials on resist sidewall roughness in deep X-ray lithography [J] . G. Aigeldinger, C.-Y. P. Yang, D. M. Skala, Microsystem Technologies . 2008,第2期

机译：深X射线光刻中掩模衬底材料对抗蚀剂侧壁粗糙度的影响
4. 22nm node ArF lithography performance improvement by utilizing mask 3D topography: controlled sidewall angle 22nm node ArF lithography performance improvement by utilizing mask 3D topography: controlled sidewall angle [C] . Hiroshi Watanabe, Kei Mesuda, Katsuya Hayano, Photomask and next-generation lithography mask technology XVIII . 2011

机译：利用掩模3D形貌改善22nm节点ArF光刻性能：可控侧壁角 r n利用掩模3D形貌改善22nm节点ArF光刻性能：可控侧壁角
5. Self-assembled lithography-free fabrication of microchannels and microfluidics in polymers. [D] . Kahsai, Wintana Tadesse. 2012

机译：自组装无光刻技术的聚合物微通道和微流控技术。
6. Single-photon-multi-layer-interference lithography for high-aspect-ratio and three-dimensional SU-8 micro-anostructures [O] . Siddharth Ghosh, G. K. Ananthasuresh -1

机译：高纵横比和三维SU-8微/纳米结构的单光子多层干涉光刻
7. Fundamental limitations of LIGA x-ray lithography : sidewall offset, slope and minimum feature size. [O] . Griffiths, Stewart K. 2004

机译：LIGa X射线光刻的基本限制：侧壁偏移，斜率和最小特征尺寸。
8. Ionenstrahllithographie: Entwicklung Eines 1:1 Proximity Projektionsverfahrens Auf der Basis von Channeling-Masken (Ion Beam Lithography: Development of a 1:1 Proximity Projection Method Based on Channeling Masks) [R] . Csepregi, L. 1986

机译：Ionenstrahllithographie：Entwicklung Eines 1：1 proximity projektionsverfahrens auf der Basis von Channeling-masken（离子束光刻：开发基于通道掩模的1：1接近投影方法）

Sidewall lithography of micron-sized features in high-aspect-ratio meso-scale channels using a three-dimensional assembled mask

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅