机译:3 V 110μW3.1 ppm /℃曲率补偿CMOS带隙基准
机译:3 V 110μW3.1 ppm /°C曲率补偿CMOS带隙基准
机译:1.16-V 5.8至13.5-PPM /°C弯曲补偿CMOS带隙参考电路,具有用于内部放大器的共享偏移消除方法
机译:3V 110 / SPL MU / W 3.1 PPM // SPL DEG / C曲率补偿CMOS带隙参考
机译:一款精确,无扰动,高PSRR,低压,CMOS带隙基准IC。
机译:采用恒定电荷减法的5.8nW45ppm /°C片上CMOS唤醒定时器
机译:1.2 V电源0.58 PPM /°C CMOS带隙电压参考