Analysis of the Negative-SET Behaviors in Cu/ZrO2/Pt Devices

机译：Cu / ZrO2 / Pt器件的负SET行为分析

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Sen Liu; Xiaolong Zhao; Qingjiang Li; Nan Li; Wei Wang; Qi Liu; Hui Xu;
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年度 2016
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1. Analysis of the Negative-SET Behaviors in Cu/ZrO2/Pt Devices [J] . Sen Liu, Xiaolong Zhao, Qingjiang Li, Nanoscale Research Letters . 2016,第1期

机译：Cu / ZrO 2 / Pt器件中负SET行为的分析
2. Eradicating negative-Set behavior of TiO2-based devices by inserting an oxygen vacancy rich zirconium oxide layer for data storage applications [J] . Ismail Muhammad, Hashmi Arqum, Rana Anwar Manzoor, Nanotechnology . 2020,第32期

机译：通过插入用于数据存储应用的氧空位富含氧化锆氧化物层来消除基于TiO2的器件的负面行为
3. Eliminating negative-set behavior by adding a graphene blocking layer in resistive switching memory devices based on epoxy resin [J] . Sun Yanmei, Wen Dianzhong, Sun Fengyun Annales de l'I.H.P . 2019,第7期

机译：通过在基于环氧树脂的电阻开关存储器装置中添加石墨烯阻塞层来消除负片行为
4. Bistable resistance switching of Cu/Ti:ZrO2/Pt for Nonvolatile memory application [C] . Qi Liu, Shibing Long, Qin Wang, ISTC/CSTIC 2009 (CISTC) . 2009

机译：用于非易失性存储应用的Cu / Ti：ZrO2 / Pt的双稳态电阻切换
5. Optimization of the Absorber/Buffer Interface Region of Cu(In,Ga)Se2 Photovoltaic Devices: A Numerical Simulation Study [D] . Patikirige, Yasas. 2019

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6. Analysis of the Negative-SET Behaviors in Cu/ZrO2/Pt Devices [O] . Sen Liu, Xiaolong Zhao, Qingjiang Li, 2016

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7. Memory Devices: Eliminating Negative-SET Behavior by Suppressing Nanofilament Overgrowth in Cation-Based Memory (Adv. Mater. 48/2016) [O] . Sen Liu, Nianduan Lu, Xiaolong Zhao, 2016

机译：存储器件：通过抑制基于阳离子的内存（ADV。Mater。48/2016），消除纳米丝过度生长的负面设定行为
8. Redox behavior below 1000K of Pt-impregnated CeO2-ZrO2 solid solutions: an in-211 situ neutron diffraction study [R] . Loong, C. K., Short, S. M., Ozawa, M., 1998

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