首页> 外文OA文献 >PENUMBUHAN LAPISAN FILM TEBAL Ag, Pd/Ag, DAN Au DENGAN MENGGUNAKAN METODE SCREEN PRINTING YANG DIAPLIKASIKAN SEBAGAI MIKROSTRIP BANDPASS FILTER
【2h】

PENUMBUHAN LAPISAN FILM TEBAL Ag, Pd/Ag, DAN Au DENGAN MENGGUNAKAN METODE SCREEN PRINTING YANG DIAPLIKASIKAN SEBAGAI MIKROSTRIP BANDPASS FILTER

机译:使用微功率带通滤波器的筛选方法生长AG,Pd / Ag和Au厚膜层

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

摘要

Telah dilakukan pembuatan film tebal Ag, Pd/Ag, dan Au untuk aplikasi bandpass filter dalam bentuk mikrostrip dengan metode screen printing Penelitian dilakukan dengan membuat 3 bandpass filter dengan masing-masing menggunakan pasta Au, Ag dan Pd/Ag. Bandpass filter dibuat dengan rancangan agar mampu bekerja pada frekuensi tengah 456 MHz, bandwidth 60 MHz, VSWR 1 dan loss -93,55 dB. Karakterisasi SEM, EDS dan FTIR dilakukan untuk mengetahui morfologi dan kandungan mikrostrip bandpass filter. Sedangkan untuk mengetahui unjuk kerja bandpass filter dilakukan pengujian dengan menggunakan VNA. Hasil SEM menunjukkan ukuran butir dengan pasta Au, Ag dan Pd/Ag masing-masing yaitu 0,435 nm, 0,389 nm, dan 0,913 nm. Serta ketebalan jalur konduktor masing-masing yaitu 10,47μm, 13,96μm dan 14,15μm. Berdasarkan hasil SEM menunjukkan pori-pori tersebar pada permukaan mikrostrip sehingga meningkatkan nilai loss bandpass filter. Hasil EDS dan FTIR menunjukkan adanya pengotor C, N, O, H dan Al pada jalur konduktor mikrostrip. Pengukuran ketiga bandpass filter dengan VNA memperoleh hasil yaitu frekuensi tengah 456 MHz, bandwidth 60 MHz, loss 3 dB, dan VSWR 1,3. Hasil fabrikasi memiliki nilai VSWR dan loss yang lebih tinggi dibandingkan dengan rancangan, karena adanya conductor loss akibat pori pada permukaan mikrostrip dan unsur pengotor.ududKata Kunci: Bandpass Filter, Mikrostrip, Strip Konduktor, Teknologi Film Tebal.ududA study on fabrication of thick film Ag, Pd/Ag, and Au for microstrip bandpass filter application using screen printing method has been carried out. Research carried out by making three bandpass filter using conductor paste Au, Ag, and Pd/Ag. Bandpass filters are designed at the operating center frequency 456 MHz, bandwidth of 60 MHz, 1 VSWR, and -93.55 dB loss. SEM, EDS and FTIR characterization conducted to determine morphology and content of microstrip bandpass filter. Meanwhile, the performance of bandpass filter was examined by using VNA. SEM results indicate grain size conductor strip using Au, Ag, and Pd/Ag are 0.435 nm, 0.389 nm and 0.913 nm. The thickness of each conductor strips are 10,47μm, 13,96μm and 14,15μm. Based on SEM results showed pores scattered on the surface of conductor strip,that causes the value loss increases. EDS and FTIR results indicate the presence of impurities C, N, O, H, and Al on conductor strip of microstrip. The measurement of three bandpass filter with VNA get the results that the center frequency 456 MHz, bandwidth of 60 MHz, 3 dB loss and 1.3 VSWR. Fabrication results indicate the value of loss and VSWR, higher than the design. It was due to conductor loss that occurs due to pore on the surface microstrip and also due to the impurity.udKeywords : Bandpass Filter, Microstrip, Conductor Strip, Thick Film Technology
机译:用丝网印刷法制作了Ag,Pd / Ag和Au厚膜用于微带形式的带通滤光片,并分别用Au,Ag和Pd / Ag糊制成了3个带通滤光片,进行了研究。带通滤波器设计为在456 MHz中心频率,60 MHz带宽,VSWR 1和-93.55 dB损耗下工作。进行SEM,EDS和FTIR表征,以确定带通滤波器微带的形态和含量。同时,为了找出带通滤波器的性能,使用了VNA进行了测试。 SEM结果表明,Au,Ag和Pd / Ag浆料的晶粒尺寸分别为0.435nm,0.389nm和0.913nm。导线的厚度分别为10.47μm,13.96μm和14.15μm。根据SEM结果,孔散布在微带表面上,从而增加了损耗带通滤波器的值。 EDS和FTIR结果表明,微带导体路径中存在杂质C,N,O,H和Al。使用VNA对三个带通滤波器进行测量得到了结果,即456 MHz的中频,60 MHz的带宽,3 dB的损耗和VSWR为1.3。与设计相比,由于微带表面上的孔和杂质导致导体损耗,制造结果具有更高的VSWR和损耗值。关键词:带通滤波器,微带,导体条,厚膜技术研究已经进行了使用丝网印刷法制造用于微带带通滤波器的厚Ag,Pd / Ag和Au膜的研究。通过使用Au,Ag和Pd / Ag导体浆料制作三个带通滤波器进行了研究。带通滤波器的设计工作中心频率为456 MHz,带宽为60 MHz,1 VSWR,损耗为-93.55 dB。进行SEM,EDS和FTIR表征以确定微带带通滤波器的形态和含量。同时,通过使用VNA检查了带通滤波器的性能。 SEM结果表明,使用Au,Ag和Pd / Ag的晶粒导体带为0.435 nm,0.389 nm和0.913 nm。每个导体条的厚度为10.47μm,13.96μm和14.15μm。基于SEM的结果表明,散布在导体带表面上的散射,导致值损失增加。 EDS和FTIR结果表明,微带导体条上存在杂质C,N,O,H和Al。使用VNA对三个带通滤波器进行的测量得出的结果是,中心频率为456 MHz,带宽为60 MHz,损耗为3 dB,VSWR为1.3。制造结果表明损耗和VSWR的值高于设计。 Ud关键词:带通滤波器,微带,导体带,厚膜技术是由于导体损耗是由于表面微带上的孔以及杂质引起的。

著录项

  • 作者

    Utari Listya;

  • 作者单位
  • 年度 2015
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 en
  • 中图分类

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号