机译:InGaN / GaN多量子阱LED结构的应变分析
机译:预应变InGaN中间层中的铟组成对激光二极管结构中InGaN / GaN多量子阱的应变弛豫的影响
机译:GaN势垒厚度对蓝色InGaN / GaN多量子阱LED结构的内置电场和内部量子效率的影响
机译:使用应变适应结构可调节InGaN / GaN多量子阱的发射波长
机译:InGaN / GaN多量子阱结构:亚微米结构,光学,电和化学性质。
机译:硅衬底上InGaN / GaN多量子阱中的应变控制复合
机译:具有石墨烯双面InGaN / GaN多量子阱结构的III-N LED