机译:在硅上具有三个含铝的渐变AlGaN缓冲层,可降低AlGaN / GaN HEMT中的泄漏电流
机译:低栅漏电流降低离子注入GaN / AlGaN / GaN HEMT中的导通电阻
机译:势垒层厚度对AlGaN / GaN HEMT中栅极漏电流的影响
机译:AlGaN / GaN / InGaN / GaN DH-HEMT中栅极泄漏电流的分析演示
机译:机械应力对AlGaN / GaN HEMT性能的影响:沟道电阻和栅极电流。
机译:薄Algan屏障PT-AlGaN / GaN HEMT气体传感器的响应增强在高温下源连接栅极配置
机译:栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由低频噪声和脉冲电测量证明,栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由脉冲I-V和低频噪声测量证明
机译:自对准aLD alOx T栅极绝缘体,用于siNx钝化alGaN / GaN HEmT中的栅极漏电流抑制