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Spectroscopic Characterization of GaAs and AlxGa1 – xAs / AlyGa1 – yAs Quantum Well Heterostructures

机译:GaAs和AlxGa1-xAs / AlyGa1-yAs量子阱异质结构的光谱表征

摘要

This work presents the results of the characterization of GaAs and AlxGa1 – xAs / AlyGa1 – yAs quantum well hetero-structures growth by MOVPE system. The main goal is to explore the ability of characterization techniques for multilayer structures like quantum wells. The characterization was performed using photoreflectance spectroscopy, surface photovoltaic spectroscopy and X-ray diffraction. The experimental results are verified by numerical simulation.When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/31930
机译:这项工作介绍了通过MOVPE系统生长GaAs和AlxGa1-xAs / AlyGa1-yAs量子阱异质结构的表征结果。主要目标是探索表征多层结构(如量子阱)的技术的能力。使用光反射光谱法,表面光伏光谱法和X射线衍射进行表征。通过数值模拟验证了实验结果。引用本文档时,请使用以下链接http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/31930

著录项

  • 作者

    Kumar Mirgender; Singh V.P.;

  • 作者单位
  • 年度 2013
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 en
  • 中图分类

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