Поведінка InSe-фотоперетворювачів при впливі невеликих доз високоенергетичного гамма-випромінювання

摘要

Традиційна кремнієва електроніка швидко деградує вже при порівняно помірних дозах радіації. Альтернативою при створенні радіаційно-стійких фотоперетворювачів (ФП) видимого, ближніх ІЧ- і УФ-випромінювань можуть служити кристали унікальної групи А3В6. Запропоновано фізичну модель електронних процесів, що спостерігаються у даних р-n-переходах при опроміненні: на фоні утворення простих точкових дефектів відбувалося суттєве покращення досконалості кристалічної гратки шаруватого селеніду індію внаслідок ефективного “заліковування” власних структурних дефектів.