Изготовление полупроводниковых диодов с применением слоев пористого анодного окисла кремния

摘要

Слои окисла кремния применятся в качестве защитных слоев над выходом p-n переходов на планарную поверхность полупроводниковых устройств, а также имеют хорошие маскирующие свойства при диффузии примесей. Существующие методы создания слоев окисла кремния обладают своими различными достоинствами и недостатками при применении в технологии производства полупроводниковых приборов.