机译:HF和μ-PCD方法在非钝化单晶硅样品中确定载流子复合寿命的适用性
机译:n-p结中少数载流子的复合寿命和表面重组速度。固定振幅调制电子束测定它们的新方法
机译:样品边缘重组对硅中平均注入依赖的载流子寿命的影响
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机译:微波光导衰减(μ-PCD)与连续电晕电荷(Charge-PCD)耦合用于测量少数载流子寿命的硅表面制备方法的比较
机译:使用反向恢复瞬态方法测量纳米晶硅器件中少数载流子的寿命。
机译:适用于显微解剖组织样品的快速载体染色质免疫沉淀方法
机译:硅晶片中自由载体的本体和表面复合的扩散模型:I.精确溶液和本体寿命评估
机译:硅中的载流子寿命测量和重组特性以及与辐射诱导缺陷水平相关的研究现象