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Investigation of the Irradiation Influence with High-energy Electrons on the Electrical Parameters of the IGBT-transistors

机译:高能电子辐照对IGBT晶体管电学参数影响的研究

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摘要

The results of studies of the effectiveness of the radiation method for control the characteristics of theudIGBT transistors are shown. Experimental results on the effect of irradiation with high-energy electronsudwith an energy of 6 MeV for dynamic and static parameters of the IGBT transistors of company InternationaludRectifier IRGB14C40L are discussed.
机译:显示了控制udIGBT晶体管特性的辐射方法有效性的研究结果。讨论了用高能电子辐照6 MeV能量对International udRectifier IRGB14C40L公司的IGBT晶体管的动态和静态参数的影响的实验结果。

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