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Design of Trench Termination for High Voltage Devices

机译:高压器件的沟槽端接设计

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摘要

Trench termination technique has been attractive for high voltage power devices design with the possibilities of reducing the chip area and improves the blocking voltage to the level of ideal one, by reducing the termination length and maintaining the ideal electric field uniformity near the chip edge. The authors unveil, for the first time, that positive charges due to the holes accumulated in the trench side wall terminate the high electric field and show the robust design for the trench termination against the avalanche phenomena.
机译:沟槽端接技术通过减小端接长度并在芯片边缘附近保持理想的电场均匀性,具有减小芯片面积,将阻断电压提高到理想电压水平的潜力,对高压功率器件设计具有吸引力。作者首次揭露,由于沟槽侧壁中积聚的空穴而产生的正电荷会终止高电场,并显示出抗雪崩现象的沟槽终止的可靠设计。

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