机译:低压N沟道沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管的沟道端接设计与分析
机译:对“用SiO 2 sub>封装的电介质终止沟道以实现4H-SiC器件中近乎理想的击穿电压”的修正
机译:SiO 2 sub>封装的电介质的沟槽端接,用于4H-SiC器件中的近理想击穿电压
机译:高压器件的沟槽终端设计
机译:使用低电压(LV)和高压(HV)碳化物(SIC)器件,实现高效率中电压转换器和用于高速驱动器和其他网格应用,以及高压(HV)碳化硅(SIC)器件
机译:器件血栓发育性仿真器(DTE) - 心血管设备设计优化方法:两种双BILAFLED MHV设计的研究
机译:高压器件的沟槽端接设计