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【2h】

0.6-eV bandgap In0.69Ga0.31As thermophotovoltaic devices with compositionally undulating step-graded InAsyP(1-y)buffers

机译：0.6-eV带隙In0.69Ga0.31As热光电器件，具有成分起伏不定的阶梯式InAsyP（1-y）缓冲液

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Ji Lian; Lu Shu-Long; Jiang De-Sheng; Zhao Yong-Ming; Tan Ming; Zhu Ya-Qi; Dong Jian-Rong;
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年度 2013
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机译：最终报告：用于Hi EfficiencyRadioisotope power的带隙工程热光电器件，1996年7月9日 - 1999年7月8日

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